中国台湾SiC厂商#格棋化合物半导体 近期透露了旗下SiC项目建设进展。目前正规炒股配资网站，格棋正积极部署8英寸SiC晶圆产能，预计至2025年底，8英寸SiC长晶炉将扩增至百台规模，并将正式进军日本、欧洲与北美等国际市场，进一步强化全球战略布局。
据官网资料显示，格棋成立于2022年，公司长期关注第三代化合物半导体的市场需求和工艺技术开发，公司团队成员在该领域拥有超过10年的经验。2023年5月，格棋团队采用物理气相传输（PVT）法成功开发出了8英寸N型晶体，显示出其在长晶技术方面的领先地位。
2024年10月，格棋举行了其位于桃园中坜区新工厂的落成典礼正规炒股配资网站，该厂总投资金额达6亿新台币（约1.33亿人民币），规划6英寸碳化硅衬底月产能5000片。此前预计在2024年第四季度达到满产。此外，新厂还将在年底前安装20台8英寸长晶炉及100台6英寸长晶炉，进一步提升产能。
格棋在新厂落成仪式上与台湾中科院及日本三菱达成合作。与中科院的合作将聚焦于高频通讯用碳化硅组件的开发，为5G/B5G通讯基础建设提供关键组件。与日本三菱的合作则致力于扩大日本消费类和车用市场的SiC产品布局。
（文/集邦化合物半导体整理）
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